TK65L60V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK65L60V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 465 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для TK65L60V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK65L60V даташит

No data!

Другие IGBT... TK5A65DA, TK5A65D, TK5P50D, TK5P53D, TK60A08J1, TK60J25D, TK60P03M1, TK60S06K3L, 50N06, TK65S04K3L, TK6A45DA, TK6A50D, TK6A53D, TK6A55DA, TK6A60D, TK6A65D, TK6P53D