Справочник MOSFET. BUK454-800B

 

BUK454-800B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BUK454-800B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для BUK454-800B

 

 

BUK454-800B Datasheet (PDF)

 4.1. Size:64K  philips
 buk454-800a-b.pdf

BUK454-800B BUK454-800B

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK454-800A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope. BUK454 -800A -800BThe device is intended for use in VDS Drain-source voltage 800 800 VSwitched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 2.4 2.0 A(SMPS)

 4.2. Size:229K  inchange semiconductor
 buk454-800.pdf

BUK454-800B BUK454-800B

isc N-Channel MOSFET Transistor BUK454-800A/BDESCRIPTIONDrain Source Voltage-: V =800V(Min)DSSLow RDS(ON)Fast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for Switched Mode Power Supplies (SMPS),motor control,welding, and in general purpose switchingresistance applicationABSOLUTE MAXIMU

 7.1. Size:51K  philips
 buk454-60h 1.pdf

BUK454-800B BUK454-800B

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK454-60H GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope. VDS Drain-source voltage 60 VThe device is intended for use in ID Drain current (DC) 41 Aautomotive applications, Switched Ptot Total power dissipation 125 WMod

 7.2. Size:58K  philips
 buk454-200a-b 1.pdf

BUK454-800B BUK454-800B

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK454-200A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in a plasticenvelope suitable for use in surface VDS Drain-source voltage 200 Vmount applications. ID Drain current (DC) 9.2 AThe device is intended for use in Ptot Total power diss

 7.3. Size:228K  inchange semiconductor
 buk454-200.pdf

BUK454-800B BUK454-800B

isc N-Channel MOSFET Transistor BUK454-200A/BDESCRIPTIONDrain Source Voltage-: V =200V(Min)DSSLow RDS(ON)Fast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for Switched Mode Power Supplies (SMPS),motor control,welding, and in general purpose switchingresistance applicationABSOLUTE MAXIMU

Другие MOSFET... BUK444-800B , BUK445-200A , BUK446-1000B , BUK446-800A , BUK446-800B , BUK452-100A , BUK453-100A , BUK454-800A , P55NF06 , BUK455-100A , BUK455-200A , BUK456-1000B , BUK456-100A , BUK456-200A , BUK456-200B , BUK456-800A , BUK456-800B .

 

 
Back to Top