TK7A65D. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: TK7A65D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.98 Ohm
Тип корпуса: TO220SIS
Аналог (замена) для TK7A65D
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
TK7A65D даташит
tk7a65d.pdf
TK7A65D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK7A65D Switching Regulator Applications Unit mm 2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.8 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 4.5 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 650 V) Enhancement mode Vth = 2.
tk7a65d.pdf
INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK7A65D ITK7A65D FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.8 (typ.) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
tk7a65w.pdf
TK7A65W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK7A65W TK7A65W TK7A65W TK7A65W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.64 (typ.) by using Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhancement
tk7a60w.pdf
TK7A60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK7A60W TK7A60W TK7A60W TK7A60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.5 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhancem
Другие IGBT... TK70J04J3, TK70J20D, TK70X04K3, TK70X06K3, TK75A06K3, TK7A45DA, TK7A50D, TK7A55D, 7N65, TK7P50D, TK80A08K3, TK80E06K3A, TK80F08K3, TK80S04K3L, TK80S06K3L, TK80X04K3, TK8A10K3
History: FXN0707C | FXN8N65F
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH | AP3P020H | AP3N9R5YT | AP3N9R5MT
Popular searches
2sc828 equivalent | 4843ns | 2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet | 2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet | 2sc373




