BUK456-200A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BUK456-200A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для BUK456-200A
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BUK456-200A даташит
buk456-200a-b 1.pdf
Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK456-200A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic envelope. BUK456 -200A -200B The device is intended for use in VDS Drain-source voltage 200 200 V Switched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 19 17 A (SMPS),
buk456-200.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor BUK456-200A/B DESCRIPTION Drain Source Voltage- V =200V(Min) DSS Low R DS(ON) Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for Switched Mode Power Supplies (SMPS), motor control,welding, and in general purpose switching resistance application ABSOLUTE MAXIMU
buk456-60a-b 1.pdf
Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK456-60A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic envelope. BUK456 -60A -60B The device is intended for use in VDS Drain-source voltage 60 60 V Switched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 52 51 A (SMPS), motor
buk456-100b.pdf
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK456-100A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic envelope. BUK456 -100A -100B The device is intended for use in VDS Drain-source voltage 100 100 V Switched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 34 32 A (SMPS),
Другие MOSFET... BUK452-100A , BUK453-100A , BUK454-800A , BUK454-800B , BUK455-100A , BUK455-200A , BUK456-1000B , BUK456-100A , IRFB4227 , BUK456-200B , BUK456-800A , BUK456-800B , BUK462-100A , BUK463-100A , BUK465-100A , BUK465-200A , BUK466-200A .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASA60R150E | ASA60R090EFDA | ASA60R090EFD | ASA50R130E | ADW120N080G2 | ADQ120N080G2 | ADG120N080G2 | AS6004 | 2N7002EY | AS2310A | 2N7002KM | 2N7002KH | AON5802 | AOSS62934 | AOSN21319C | AONS66966
Popular searches
2n1308 transistor | p609 | bc327-40 | tip125 | a992 transistor | 2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx







