BUK456-800B - описание и поиск аналогов

 

BUK456-800B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUK456-800B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для BUK456-800B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK456-800B даташит

 4.1. Size:49K  philips
buk456-800a-b.pdfpdf_icon

BUK456-800B

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK456-800A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic envelope. BUK456 -800A -800B The device is intended for use in VDS Drain-source voltage 800 800 V Switched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 4 3.5 A (SMPS),

 4.2. Size:229K  inchange semiconductor
buk456-800.pdfpdf_icon

BUK456-800B

isc N-Channel MOSFET Transistor BUK456-800A/B DESCRIPTION Drain Source Voltage- V =800V(Min) DSS Low R DS(ON) Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for Switched Mode Power Supplies (SMPS), motor control,welding, and in general purpose switching resistance application ABSOLUTE MAXIMU

 7.1. Size:54K  philips
buk456-60a-b 1.pdfpdf_icon

BUK456-800B

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK456-60A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic envelope. BUK456 -60A -60B The device is intended for use in VDS Drain-source voltage 60 60 V Switched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 52 51 A (SMPS), motor

 7.2. Size:55K  philips
buk456-100b.pdfpdf_icon

BUK456-800B

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK456-100A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic envelope. BUK456 -100A -100B The device is intended for use in VDS Drain-source voltage 100 100 V Switched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 34 32 A (SMPS),

Другие MOSFET... BUK454-800B , BUK455-100A , BUK455-200A , BUK456-1000B , BUK456-100A , BUK456-200A , BUK456-200B , BUK456-800A , AON6414A , BUK462-100A , BUK463-100A , BUK465-100A , BUK465-200A , BUK466-200A , BUK473-100A , BUK473-100B , BUK482-100A .

History: BUK466-200A

 

 

 


 
↑ Back to Top
.