Справочник MOSFET. BUK456-800B

 

BUK456-800B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUK456-800B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK456-800B Datasheet (PDF)

 4.1. Size:49K  philips
 buk456-800a-b.pdf pdf_icon

BUK456-800B

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK456-800A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope. BUK456 -800A -800BThe device is intended for use in VDS Drain-source voltage 800 800 VSwitched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 4 3.5 A(SMPS),

 4.2. Size:229K  inchange semiconductor
 buk456-800.pdf pdf_icon

BUK456-800B

isc N-Channel MOSFET Transistor BUK456-800A/BDESCRIPTIONDrain Source Voltage-: V =800V(Min)DSSLow RDS(ON)Fast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for Switched Mode Power Supplies (SMPS),motor control,welding, and in general purpose switchingresistance applicationABSOLUTE MAXIMU

 7.1. Size:54K  philips
 buk456-60a-b 1.pdf pdf_icon

BUK456-800B

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK456-60A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope. BUK456 -60A -60BThe device is intended for use in VDS Drain-source voltage 60 60 VSwitched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 52 51 A(SMPS), motor

 7.2. Size:55K  philips
 buk456-100b.pdf pdf_icon

BUK456-800B

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK456-100A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope. BUK456 -100A -100BThe device is intended for use in VDS Drain-source voltage 100 100 VSwitched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 34 32 A(SMPS),

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BUK454-800B , BUK455-100A , BUK455-200A , BUK456-1000B , BUK456-100A , BUK456-200A , BUK456-200B , BUK456-800A , P55NF06 , BUK462-100A , BUK463-100A , BUK465-100A , BUK465-200A , BUK466-200A , BUK473-100A , BUK473-100B , BUK482-100A .

 

 
Back to Top

 


 
.