TPC8A04-H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPC8A04-H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 990 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для TPC8A04-H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPC8A04-H даташит

 ..1. Size:217K  toshiba
 tpc8a04-h.pdf pdf_icon

TPC8A04-H

TPC8A04-H TOSHIBA Field Effect Transistor with Built-in Schottky Barrier Diode Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS V-H) TPC8A04-H High Efficiency DC-DC Converter Applications Notebook PC Applications Unit mm Portable Equipment Applications Built-in schottky barrier diode Low forward voltage VDSF = -0.6 V (max) High-speed switching Small gate charge QSW = 13 nC (ty

 8.1. Size:279K  toshiba
 tpc8a07-h.pdf pdf_icon

TPC8A04-H

TPC8A07-H TOSHIBA Field Effect Transistor with Built-in Schottky Barrier Diode Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS V -H) TPC8A07-H High Efficiency DC-DC Converter Applications Notebook PC Applications Unit mm Portable-Equipment Applications Small footprint due to a small and thin package High-speed switching Small gate charge (Q1) QSW = 3.4 nC (typ.) (Q2) QSW =

 8.2. Size:316K  toshiba
 tpc8a01.pdf pdf_icon

TPC8A04-H

TPC8A01 Q1 TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE(U MOS ) Q2 TOSHIBA INCLUDES SCHOTTKY BARRIER DIODE FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE(U MOS ) TPC8A01 Unit mm DC-DC CONVERTER Notebook PC Portable Machines and Tools Includes Schottky Barrier Diode Type. (Q2) Low Forward Voltage V =0.6V(Max.) DSF Small footprint due to

 8.3. Size:234K  toshiba
 tpc8a06-h.pdf pdf_icon

TPC8A04-H

TPC8A06-H TOSHIBA Field Effect Transistor with Built-in Schottky Barrier Diode Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS V-H) TPC8A06-H High Efficiency DC-DC Converter Applications Unit mm Notebook PC Applications Portable Equipment Applications Built-in schottky barrier diode Low forward voltage V = 0.6 V (max) DSF High-speed switching Small gate charge QSW = 4.5

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TPC8133, TPC8134, TPC8221-H, TPC8223-H, TPC8224-H, TPC8407, TPC8408, TPC8A03-H, IRFP260N, TPC8A05-H, TPC8A06-H, TPCA8006-H, TPCA8008-H, TPCA8010-H, TPCA8011-H, TPCA8024, TPCA8025