Справочник MOSFET. BUK466-200A

 

BUK466-200A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUK466-200A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: SOT404
 

 Аналог (замена) для BUK466-200A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK466-200A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:53K  philips
 buk466-200a 1.pdf pdf_icon

BUK466-200A

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK466-200AGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in a plasticenvelope suitable for use in surface VDS Drain-source voltage 200 Vmount applications. ID Drain current (DC) 19 AThe device is intended for use in Ptot Total power dissipat

 7.1. Size:57K  philips
 buk466-60a 1.pdf pdf_icon

BUK466-200A

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK466-60AGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in a plasticenvelope suitable for surface mount VDS Drain-source voltage 60 Vapplications. ID Drain current (DC) 52 AThe device is intended for use in Ptot Total power dissipation 150 W

 7.2. Size:55K  philips
 buk466-100a 1.pdf pdf_icon

BUK466-200A

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK466-100AGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in a plasticenvelope suitable for surface mount VDS Drain-source voltage 100 Vapplications. ID Drain current (DC) 34 AThe device is intended for use in Ptot Total power dissipation 150

 9.1. Size:60K  philips
 buk462-100a 2.pdf pdf_icon

BUK466-200A

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK462-100AGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in a plasticenvelope suitable for surface mount VDS Drain-source voltage 100 Vapplications. ID Drain current (DC) 11 AThe device is intended for use in Ptot Total power dissipation 60

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BUK456-200A , BUK456-200B , BUK456-800A , BUK456-800B , BUK462-100A , BUK463-100A , BUK465-100A , BUK465-200A , STP75NF75 , BUK473-100A , BUK473-100B , BUK482-100A , BUK543-100A , BUK545-100A , BUK545-100B , BUK552-100A , BUK552-100B .

History: BUZ76A | FRE460R | BUZ80FI | APT1201R5BVR | IRF634 | IRLR3303

 

 
Back to Top

 


 
.