TPCA8105. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: TPCA8105
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
Тип корпуса: SOP-ADVANCE
Аналог (замена) для TPCA8105
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
TPCA8105 даташит
tpca8105.pdf
TPCA8105 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS III) TPCA8105 Notebook PC Applications Unit mm Portable Equipment Applications 0.4 0.1 1.27 0.5 0.1 0.05 M A 8 5 Small footprint due to compact and slim package Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 23 m (typ.) 0.15 0.05 High forward transfer admittance Y = 14 S (typ.)
tpca8102.pdf
TPCA8102 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS ) TPCA8102 Lithium Ion Battery Applications Unit mm Notebook PC Applications 0.4 0.1 1.27 0.05 M A Portable Equipment Applications 8 5 0.15 0.05 Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 4.5m (typ.) 4 1 0.595 High forward transfer
tpca8108.pdf
TPCA8108 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS ) TPCA8108 High-Side Switching Applications Motor Drive Applications Unit mm 0.4 0.1 1.27 0.5 0.1 0.05 M A 8 5 Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 7.7 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 41S (typ.) 0.15 0.05
tpca8106.pdf
TPCA8106 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS ) TPCA8106 Lithium Ion Battery Applications Unit mm Notebook PC Applications 1.27 0.4 0.1 8 0.05 M A Portable Equipment Applications 5 0.15 0.05 Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 2.9 m (typ.) 4 0.595 1 (VGS= -10V
Другие IGBT... TPCA8075, TPCA8078, TPCA8080, TPCA8081, TPCA8082, TPCA8087, TPCA8088, TPCA8104, AON7506, TPCA8107-H, TPCA8108, TPCA8109, TPCA8120, TPCA8128, TPCA8131, TPCA8A02-H, TPCA8A04-H
History: TPCA8128 | IPS65R1K5CE | 2SK662 | TPCA8056-H
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH | AP3P020H | AP3N9R5YT | AP3N9R5MT
Popular searches
2n3405 | 2n3567 | 2sc1226 | 2sd180 | 2sd235 | k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722









