Справочник MOSFET. BUK473-100A

 

BUK473-100A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUK473-100A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: SOT186A
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK473-100A Datasheet (PDF)

 0.1. Size:60K  philips
 buk473-100a-b.pdf pdf_icon

BUK473-100A

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK473-100A/B Isolated version of BUK453-100A/BGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic full-pack envelope. The BUK473 -100A -100Bdevice is intended foruse in Switched VDS Drain-source voltage 100 100 VMode Power Sup

 7.1. Size:57K  philips
 buk473-60a-b 1.pdf pdf_icon

BUK473-100A

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK473-60A/B Isolated version of BUK453-60A/BGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic full-pack envelope. The BUK473 -60A -60Bdevice is intended foruse in Switched VDS Drain-source voltage 60 60 VMode Power Supplies

 9.1. Size:55K  philips
 buk474-60h 1.pdf pdf_icon

BUK473-100A

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK474-60H GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic full-pack envelope. VDS Drain-source voltage 60 VThe device is intended for use in ID Drain current (DC) 21 AAutomotive applications, Switched Ptot Total power dissipation

 9.2. Size:57K  philips
 buk472-60a-b 1.pdf pdf_icon

BUK473-100A

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK472-60A/B Isolated version of BUK452-60A/BGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic full-pack envelope. BUK472 -60A -60BThe device is intended for use in VDS Drain-source voltage 60 60 VSwitched Mode Power Supplies

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BUK456-200B , BUK456-800A , BUK456-800B , BUK462-100A , BUK463-100A , BUK465-100A , BUK465-200A , BUK466-200A , 2SK3878 , BUK473-100B , BUK482-100A , BUK543-100A , BUK545-100A , BUK545-100B , BUK552-100A , BUK552-100B , BUK553-100A .

History: MTB20N03AQ8 | PS04P30SB | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | FDD16AN08A0

 

 
Back to Top

 


 
.