Справочник MOSFET. TPCA8A05-H

 

TPCA8A05-H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPCA8A05-H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0129 Ohm
   Тип корпуса: SOP-ADVANCE
 

 Аналог (замена) для TPCA8A05-H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPCA8A05-H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:223K  toshiba
 tpca8a05-h.pdf pdf_icon

TPCA8A05-H

TPCA8A05-H TOSHIBA Field Effect Transistor with Built-in Schottky Barrier Diode Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS V-H) TPCA8A05-H High Efficiency DC-DC Converter Applications Unit: mmNotebook PC Applications 1.27 0.4 0.18 0.05 M A Portable Equipment Applications 5 Built-in a schottky barrier diode 0.15 0.05Low forward voltage: V = 0.6 V (max) DSF High

 7.1. Size:214K  toshiba
 tpca8a01-h.pdf pdf_icon

TPCA8A05-H

TPCA8A01-H TOSHIBA Field Effect Transistor with Built-in Schottky Barrier Diode Silicon N-Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOS ) TPCA8A01-H High Efficiency DC-DC Converter Applications Unit: mmNotebook PC Applications 0.40.11.270.50.10.05 M A58Portable Equipment Applications Built-in schottky barrier diode 0.150.05Low forward voltage: VDSF = -0.6

 7.2. Size:253K  toshiba
 tpca8a09-h.pdf pdf_icon

TPCA8A05-H

TPCA8A09-HMOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H/Schottky Barrier Diode)TPCA8A09-HTPCA8A09-HTPCA8A09-HTPCA8A09-H1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Notebook PCs Mobile Handsets2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Built-in a schottky barrier diodeLow forward voltage: VDSF = -0.6 V

 7.3. Size:231K  toshiba
 tpca8a04-h.pdf pdf_icon

TPCA8A05-H

TPCA8A04-H TOSHIBA Field Effect Transistor with Built-in Schottky Barrier Diode Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS V-H) TPCA8A04-H High Efficiency DC-DC Converter Applications Notebook PC Applications Unit: mmPortable Equipment Applications 1.27 0.4 0.1 0.05 M A 8 5 Built-in a schottky barrier diode Low forward voltage: VDSF = -0.6 V (max) 0.15 0.05 High-sp

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TPCA8107-H , TPCA8108 , TPCA8109 , TPCA8120 , TPCA8128 , TPCA8131 , TPCA8A02-H , TPCA8A04-H , 5N65 , TPCA8A08-H , TPCA8A09-H , TPCA8A10-H , TPCA8A11-H , TPCC8007 , TPCC8008 , TPCC8009 , TPCC8061-H .

History: 4812 | HY3704P | DH116N08I | HCS70R710ST | FDS4080N7 | AP8600MT | IPA90R800C3

 

 
Back to Top

 


 
.