TPCC8062-H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: TPCC8062-H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 2.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm
Тип корпуса: TSON-ADVANCE
Аналог (замена) для TPCC8062-H
TPCC8062-H Datasheet (PDF)
tpcc8062-h.pdf

TPCC8062-HMOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)TPCC8062-HTPCC8062-HTPCC8062-HTPCC8062-H1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Notebook PCs Mobile Handsets2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small, thin package(2) High-speed switching(3) Small gate charge: QSW = 7.4 nC (typ.)(
tpcc8065-h.pdf

TPCC8065-HMOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)TPCC8065-HTPCC8065-HTPCC8065-HTPCC8065-H1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Notebook PCs Mobile Handsets2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small, thin package(2) High-speed switching(3) Small gate charge: QSW = 4.3 nC (typ.)(
tpcc8064-h.pdf

TPCC8064-HMOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)TPCC8064-HTPCC8064-HTPCC8064-HTPCC8064-H1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Notebook PCs Mobile Handsets2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small, thin package(2) High-speed switching(3) Small gate charge: QSW = 5.0 nC (typ.)(
tpcc8068-h.pdf

TPCC8068-HMOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)TPCC8068-HTPCC8068-HTPCC8068-HTPCC8068-H1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Notebook PCs Mobile Handsets2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small, thin package(2) High-speed switching(3) Small gate charge: QSW = 3.3 nC (typ.)(
Другие MOSFET... TPCA8A08-H , TPCA8A09-H , TPCA8A10-H , TPCA8A11-H , TPCC8007 , TPCC8008 , TPCC8009 , TPCC8061-H , IRFB31N20D , TPCC8064-H , TPCC8065-H , TPCC8066-H , TPCC8067-H , TPCC8068-H , TPCC8073 , TPCC8074 , TPCC8076 .
History: PMPB20XPEA | AP9561GI-HF | SLI80R380SJ | VBZE06N02 | CJP07N60 | MGSF2N02ELT1G | AOD66620
History: PMPB20XPEA | AP9561GI-HF | SLI80R380SJ | VBZE06N02 | CJP07N60 | MGSF2N02ELT1G | AOD66620



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f | 2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet | tip130 | se9302 transistor | fr5305 datasheet