TPCC8068-H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: TPCC8068-H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 3.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0116 Ohm
Тип корпуса: TSON-ADVANCE
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
TPCC8068-H Datasheet (PDF)
tpcc8068-h.pdf

TPCC8068-HMOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)TPCC8068-HTPCC8068-HTPCC8068-HTPCC8068-H1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Notebook PCs Mobile Handsets2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small, thin package(2) High-speed switching(3) Small gate charge: QSW = 3.3 nC (typ.)(
tpcc8065-h.pdf

TPCC8065-HMOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)TPCC8065-HTPCC8065-HTPCC8065-HTPCC8065-H1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Notebook PCs Mobile Handsets2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small, thin package(2) High-speed switching(3) Small gate charge: QSW = 4.3 nC (typ.)(
tpcc8064-h.pdf

TPCC8064-HMOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)TPCC8064-HTPCC8064-HTPCC8064-HTPCC8064-H1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Notebook PCs Mobile Handsets2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small, thin package(2) High-speed switching(3) Small gate charge: QSW = 5.0 nC (typ.)(
tpcc8061-h.pdf

TPCC8061-HMOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)TPCC8061-HTPCC8061-HTPCC8061-HTPCC8061-H1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Notebook PCs Mobile Handsets2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small, thin package(2) High-speed switching(3) Small gate charge: QSW = 3.5 nC (typ.)(
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: IRFU420 | RU7550S | AUIRFZ34N | 2N6760JANTXV | EM6M2 | IRLML9301TRPBF | STP20NM60FP
History: IRFU420 | RU7550S | AUIRFZ34N | 2N6760JANTXV | EM6M2 | IRLML9301TRPBF | STP20NM60FP



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
tip130 | se9302 transistor | fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06 | bc108b | oc84 | c6090