TPCC8074 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TPCC8074
Маркировка: 8074
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
trⓘ - Время нарастания: 3.1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm
Тип корпуса: TSON-ADVANCE
TPCC8074 Datasheet (PDF)
tpcc8074.pdf
TPCC8074MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS)TPCC8074TPCC8074TPCC8074TPCC80741. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Lithium-Ion Secondary Batteries Power Management Switchings Notebook PCs2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small footprint due to a small and thin package(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON)
tpcc8076.pdf
TPCC8076MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS)TPCC8076TPCC8076TPCC8076TPCC80761. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Lithium-Ion Secondary Batteries Notebook PCs Mobile Equipments2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small footprint due to a small and thin package(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.7 m
tpcc8073.pdf
TPCC8073MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS)TPCC8073TPCC8073TPCC8073TPCC80731. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Lithium-Ion Secondary Batteries Power Management Switches Notebook PCs2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small footprint due to a small and thin package(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) =
tpcc8070.pdf
TPCC8070MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)TPCC8070TPCC8070TPCC8070TPCC80701. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small, thin package(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 10.8 m (typ.) (VGS = 10 V)(3) Low
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918