TPCF8108. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPCF8108

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: VS8

Аналог (замена) для TPCF8108

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPCF8108 даташит

 ..1. Size:219K  toshiba
 tpcf8108.pdf pdf_icon

TPCF8108

TPCF8108 MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) TPCF8108 TPCF8108 TPCF8108 TPCF8108 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Lithium-Ion Secondary Batteries Power Management Switches Notebook PCs 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Small footprint due to a small and thin package (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) =

 7.1. Size:264K  toshiba
 tpcf8104.pdf pdf_icon

TPCF8108

TPCF8104 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS ) TPCF8104 Notebook PC Applications Unit mm Portable Equipment Applications Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 21 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 9.6 S (typ.) Low leakage current IDSS = -10 A (max) (VDS = -30 V) Enhancement mode Vth = -0.8 to -2.0 V

 7.2. Size:223K  toshiba
 tpcf8105.pdf pdf_icon

TPCF8108

TPCF8105 MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) TPCF8105 TPCF8105 TPCF8105 TPCF8105 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Lithium-Ion Secondary Batteries Power Management Switches 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Small footprint due to a small and thin package (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 24 m (typ.) (VG

 7.3. Size:224K  toshiba
 tpcf8102.pdf pdf_icon

TPCF8108

TPCF8102 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS III) TPCF8102 Notebook PC Applications Unit mm Portable Equipment Applications Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 24 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 14 S (typ.) Low leakage current IDSS = -10 A (max) (VDS = -20 V) Enhancement mode Vth = -0.5 to -1.2 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TPCC8131, TPCC8A01-H, TPCF8002, TPCF8003, TPCF8004, TPCF8101, TPCF8105, TPCF8107, MMIS60R580P, TPCF8201, TPCF8301, TPCF8304, TPCF8305, TPCF8402, TPCF8B01, TPCP8003-H, TPCP8004