Справочник MOSFET. 2SJ440

 

2SJ440 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SJ440
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 180 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для 2SJ440

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SJ440 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:110K  toshiba
 2sj440.pdf pdf_icon

2SJ440

 9.1. Size:2166K  1
 2sj44.pdf pdf_icon

2SJ440

 9.2. Size:116K  nec
 2sj449-1.pdf pdf_icon

2SJ440

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SJ449SWITCHINGP-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONThe 2SJ449 is P-Channel MOS Field Effect Transistor de-PACKAGE DIMENSIONSsigned for high voltage switching applications.(in millimeters)10.0 0.3 4.5 0.2FEATURES3.2 0.22.7 0.2 Low On-ResistanceRDS(on) = 0.8 MAX. (@ VGS = 10 V, ID = 3.0 A) L

 9.3. Size:120K  nec
 2sj449.pdf pdf_icon

2SJ440

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SJ449SWITCHINGP-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONThe 2SJ449 is P-Channel MOS Field Effect Transistor de-PACKAGE DIMENSIONSsigned for high voltage switching applications.(in millimeters)10.0 0.3 4.5 0.2FEATURES3.2 0.22.7 0.2 Low On-ResistanceRDS(on) = 0.8 MAX. (@ VGS = 10 V, ID = 3.0 A) L

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SJ378 , 2SJ380 , 2SJ401 , 2SJ402 , 2SJ407 , 2SJ412 , 2SJ438 , 2SJ439 , IRFB3607 , 2SJ464 , 2SJ507 , 2SJ508 , 2SJ509 , 2SJ512 , 2SJ516 , 2SJ525 , 2SJ618 .

History: IRF3707ZPBF | STWA20N95DK5 | IXTQ220N055T | SML2955CSM4 | AON6202 | H4N60F

 

 
Back to Top

 


 
.