Справочник MOSFET. 2SK1381

 

2SK1381 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK1381
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK1381 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:442K  toshiba
2sk1381.pdfpdf_icon

2SK1381

2SK1381 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L2--MOSIII) 2SK1381 Relay Drive, Motor Drive and DC-DC Converter Unit: mm Applications 4 V gate drive Low drain-source ON resistance : R = 25 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 33 S (typ.) fs Low leakage current : IDSS = 100 A (max) (V = 100 V) DS Enhancement-mode

 8.1. Size:371K  toshiba
2sk1380.pdfpdf_icon

2SK1381

www.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.com

 8.2. Size:389K  toshiba
2sk1382.pdfpdf_icon

2SK1381

2SK1382 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L --MOSIII) 2SK1382 Relay Drive, Motor Drive and DC-DC Converter Unit: mm Applications 4 V gate drive Low drain-source ON resistance : R = 15 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 47 S (typ.) fs Low leakage current : IDSS = 100 A (max) (V = 100 V) DS Enhancement-m

 8.3. Size:175K  fuji
2sk1385-01r.pdfpdf_icon

2SK1381

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | DMP22M2UPS-13 | STD3N30T4 | H5N2004DS

 

 
Back to Top

 


 
.