Справочник MOSFET. 2SK3569

 

2SK3569 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 2SK3569
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO220SIS
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

 

2SK3569 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  toshiba
2sk3569.pdf pdf_icon

2SK3569
2SK3569

2SK3569 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSVI) 2SK3569 Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.54 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 8.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Abso

 ..2. Size:214K  inchange semiconductor
2sk3569.pdf pdf_icon

2SK3569
2SK3569

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3569DESCRIPTIONDrain Current I = 10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 600V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching RegulatorsDC-DC Converter,Motor ControlABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV D

 8.1. Size:214K  toshiba
2sk3566.pdf pdf_icon

2SK3569
2SK3569

2SK3566 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSIV) 2SK3566 Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 5.6 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 2.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDS = 720 V) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absol

 8.2. Size:227K  toshiba
2sk3565.pdf pdf_icon

2SK3569
2SK3569

2SK3565 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSIV) 2SK3565 Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 2.0 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 4.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (VDS = 720 V) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute Ma

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top