Справочник MOSFET. 2SK3569

 

2SK3569 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK3569
   Маркировка: K3569
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 42 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO220SIS
 

 Аналог (замена) для 2SK3569

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3569 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  toshiba
2sk3569.pdfpdf_icon

2SK3569

2SK3569 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSVI) 2SK3569 Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.54 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 8.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Abso

 ..2. Size:214K  inchange semiconductor
2sk3569.pdfpdf_icon

2SK3569

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3569DESCRIPTIONDrain Current I = 10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 600V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching RegulatorsDC-DC Converter,Motor ControlABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV D

 8.1. Size:214K  toshiba
2sk3566.pdfpdf_icon

2SK3569

2SK3566 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSIV) 2SK3566 Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 5.6 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 2.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDS = 720 V) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absol

 8.2. Size:227K  toshiba
2sk3565.pdfpdf_icon

2SK3569

2SK3565 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSIV) 2SK3565 Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 2.0 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 4.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (VDS = 720 V) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute Ma

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.