BUK7840-55 - аналоги и даташиты транзистора

 

BUK7840-55 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BUK7840-55
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для BUK7840-55

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK7840-55 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:55K  philips
 buk7840-55 1.pdf pdf_icon

BUK7840-55

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK7840-55 Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 55 Vmounting. Using trench technology ID Drain current 10.7 Athe device fea

 9.1. Size:98K  philips
 buk7880-55a.pdf pdf_icon

BUK7840-55

BUK7880-55AN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 01 1 November 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode power Field-Effect Transistor (FET) in a plastic packageusing NXP General Purpose Automotive (GPA) TrenchMOS technology.1.2 Features Very low on-state resistance Q101 compliant 150 C rated Standard level compatible

 9.2. Size:53K  philips
 buk7880-55 2.pdf pdf_icon

BUK7840-55

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK7880-55 Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 55 Vmounting. Using trench technolgy ID Drain current 7.5 Athe device featu

 9.3. Size:54K  philips
 buk78150-55 1.pdf pdf_icon

BUK7840-55

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK78150-55 Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 55 Vmounting. Using trench technology ID Drain current 5.5 Athe device fea

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BUK7618-55 , BUK7620-55 , BUK7624-55 , BUK7628-55 , BUK7635-55 , BUK7675-55 , BUK78150-55 , BUK7830-30 , SKD502T , BUK7880-55 , BUK9120-48TC , BUK9506-30 , BUK9508-55 , BUK9510-30 , BUK9514-30 , BUK9514-55 , BUK9518-30 .

 

 
Back to Top

 


 
.