TPCS8009-H - описание и поиск аналогов

 

TPCS8009-H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPCS8009-H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm

Тип корпуса: TSSOP8

Аналог (замена) для TPCS8009-H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPCS8009-H даташит

 ..1. Size:235K  toshiba
 tpcs8009-h.pdf pdf_icon

TPCS8009-H

TPCS8009-H TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (MACH -MOS ) TPCS8009-H High-Speed Switching Applications Unit mm Switching Regulator Applications DC/DC Converter Applications Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.27 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 2.1 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS =

 7.1. Size:215K  toshiba
 tpcs8008-h.pdf pdf_icon

TPCS8009-H

TPCS8008-H TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (MACH -MOS ) TPCS8008-H High-Speed Switching Applications Unit mm Switching Regulator Applications DC/DC Converter Applications Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.48 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 1.8 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS =

 7.2. Size:235K  toshiba
 tpcs8007-h.pdf pdf_icon

TPCS8009-H

TPCS8007-H TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (MACH -MOS ) TPCS8007-H High-Speed Switching Applications Unit mm Switching Regulator Applications DC/DC Converter Applications Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.36 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 2.1 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS =

 7.3. Size:157K  toshiba
 tpcs8006.pdf pdf_icon

TPCS8009-H

TPCS8006 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSV) TPCS8006 High-Speed Switching Applications Unit mm Switching Regulator Applications DC-DC Converter Applications Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.8 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 1.6 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 250 V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TPCP8301 , TPCP8302 , TPCP8402 , TPCP8403 , TPCS8004 , TPCS8006 , TPCS8007-H , TPCS8008-H , IRF9540 , TPCS8101 , TPCS8102 , TPCS8104 , TPCS8105 , TPCS8204 , TPCS8205 , TPCS8208 , TPCS8209 .

History: SI1065X | SPC4N65G | 2SK2272-01R

 

 

 

 

↑ Back to Top
.