2SJ103 - описание и поиск аналогов

 

2SJ103. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SJ103

Тип транзистора: JFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.014 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 270 Ohm

Тип корпуса: TO92

Аналог (замена) для 2SJ103

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SJ103 даташит

 ..1. Size:282K  toshiba
2sj103.pdfpdf_icon

2SJ103

2SJ103 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Junction Type 2SJ103 For Audio Amplifier, Analog Switch, Constant Current Unit mm and Impedance Converter Applications High breakdown voltage VGDS = 50 V High input impedance I = 1.0 nA (max) (V = 30 V) GSS GS Low R R = 270 (typ.) (I = -5 mA) DS (ON) DS (ON) DSS Complimentary to 2SK246 Maxim

 9.1. Size:283K  toshiba
2sj106.pdfpdf_icon

2SJ103

2SJ106 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Junction Type 2SJ106 Audio Frequency Amplifier Applications Unit mm Analog Switch Applications Constant Current Applications Impedance Converter Applications High breakdown voltage VGDS = 50 V High input impedance I = 1.0 nA (max) (V = 30 V) GSS GS Low R R = 270 (typ.) (I = -5 mA) DS (ON) DS (O

 9.2. Size:339K  toshiba
2sj108.pdfpdf_icon

2SJ103

2SJ108 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Junction Type 2SJ108 Low Noise Audio Amplifier Applications Unit mm Recommended for first stages of EQ amplifiers and MC head amplifiers. High Y Y = 22 mS (typ.) fs fs (V = -10 V, V = 0, I = -3 mA) DS GS DSS Low noise En = 0.95 nV/Hz1/2 (typ.) (V = -10 V, I = -1 mA, f = 1 kHz) DS D High i

 9.3. Size:382K  toshiba
2sj104.pdfpdf_icon

2SJ103

2SJ104 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Junction Type 2SJ104 For Audio Amplifier, Analog Switch, Constant Current Unit mm and Impedance Converter Applications High input impedance IGSS = 1.0 nA (max) (V = 25 V) GS Low R = 40 (typ.) (I = -5 mA) DS (ON) DSS Complimentary to 2SK364 Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbo

Другие MOSFET... SSM3K04FS , SSM3K04FU , SSM3K04FV , SSM3K15TE , SSM3K16TE , SSM3K311T , SSM3K7002AF , SSM6J215FE , 18N50 , 2SJ105 , 2SJ106 , 2SJ144 , 2SK117 , 2SK118 , 2SK170 , 2SK184 , 2SK1875 .

History: 2N70Z | STP9N30

 

 

 

 

↑ Back to Top
.