2SJ216 - описание и поиск аналогов

 

2SJ216. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SJ216

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 175 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: TO3PFM

Аналог (замена) для 2SJ216

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SJ216 даташит

 ..1. Size:29K  1
2sj216.pdfpdf_icon

2SJ216

2SJ216 Silicon P-Channel MOS FET November 1996 Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V gate drive device _ Can be driven from 5 V source Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive Outline TO-3PFM D G 1 2 3 1. Gate 2. Drain 3. Source S 2SJ216 Absolut

 9.1. Size:32K  1
2sj218.pdfpdf_icon

2SJ216

2SJ218 Silicon P-Channel MOS FET Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching 4 V gate drive device Can be driven from 5 V source Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive Outline 2SJ218 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Drain to source voltage VDSS 60 V

 9.2. Size:82K  renesas
2sj217.pdfpdf_icon

2SJ216

2SJ217 Silicon P Channel MOS FET REJ03G0850-0200 (Previous NON-084) Rev.2.00 Sep 07, 2005 Description High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V gate drive device Can be driven from 5 V source Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive Outline RENESAS Pa

 9.3. Size:95K  renesas
rej03g0850 2sj217ds.pdfpdf_icon

2SJ216

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие MOSFET... 2SK711 , 2SK879 , 2SK880Y , TTK101MFV , TTK101TK , 2SJ181L , 2SJ181S , 2SJ186 , IRFB4227 , 2SJ217 , 2SJ221 , 2SJ222 , 2SJ247 , 2SJ248 , 2SJ278 , 2SJ319L , 2SJ319S .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.