2SJ529L - описание и поиск аналогов

 

2SJ529L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SJ529L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для 2SJ529L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SJ529L даташит

 0.1. Size:108K  renesas
rej03g0879 2sj529lsds.pdfpdf_icon

2SJ529L

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 8.1. Size:94K  renesas
2sj529.pdfpdf_icon

2SJ529L

2SJ529(L), 2SJ529(S) Silicon P Channel MOS FET REJ03G0879-0300 (Previous ADE-208-654A) Rev.3.00 Sep 07, 2005 Description High speed power switching Features Low on-resistance RDS (on) = 0.12 typ. 4 V gate drive devices High speed switching Outline RENESAS Package code PRSS0004ZD-B RENESAS Package code PRSS0004ZD-C (Package name DPAK (L)-(2) ) (Pa

 8.2. Size:1426K  cn vbsemi
2sj529stl.pdfpdf_icon

2SJ529L

2SJ529STL www.VBsemi.tw P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested 0.061 at VGS = - 10 V - 30 APPLICATIONS - 60 10 0.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load Switch S TO-252 G G D S Top View D P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise noted Parameter Sym

 8.3. Size:831K  cn vbsemi
2sj529s.pdfpdf_icon

2SJ529L

2SJ529S www.VBsemi.tw P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested 0.061 at VGS = - 10 V - 30 APPLICATIONS - 60 10 0.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load Switch S TO-252 G G D S Top View D P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise noted Parameter Symbo

Другие MOSFET... 2SJ505L , 2SJ505S , 2SJ506L , 2SJ506S , 2SJ527L , 2SJ527S , 2SJ528L , 2SJ528S , 4435 , 2SJ529S , 2SJ530L , 2SJ530S , 2SJ549L , 2SJ549S , 2SJ550L , 2SJ550S , 2SJ551L .

History: BS107ARL1 | IRLML0030TR | MSF10N80 | IRHQ597110

 

 

 

 

↑ Back to Top
.