2SK2202. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SK2202
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: TO220FM
Аналог (замена) для 2SK2202
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2SK2202 даташит
2sk2202.pdf
2SK2202 Silicon N Channel MOS FET REJ03G1002-0300 (Previous ADE-208-139) Rev.3.00 Sep 07, 2005 Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Suitable for switching regulator, DC-DC converter Outline RENESAS Package code PRSS0003AD-A
rej03g1002 2sk2202ds.pdf
To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
2sk2208.pdf
2SK2208 External dimensions 2 ...... FM100 Absolute Maximum Ratings Electrical Characteristics (Ta = 25 C) (Ta = 25 C) Ratings Symbol Ratings Unit Symbol Unit Conditions min typ max V 900 V V 900 V I = 100 A, V = 0V DSS (BR) DSS D GS V 30 V I 100 nA V = 30V GSS GSS GS I 5I 100 A V = 900V, V = 0V D A DSS DS GS I 20 A V 2.0 3.0 4.0 V V = 10V, I = 1mA D (pulse) TH DS
2sk2201.pdf
2SK2201 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L - -MOSV) 2SK2201 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Unit mm Applications 4 V gate drive Low drain-source ON resistance R = 0.28 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 3.5 S (typ.) fs Low leakage current IDSS = 100 A (max) (V = 100 V) DS Enhance
Другие IGBT... 2SK1832, 2SK1835, 2SK1838L, 2SK1838S, 2SK1859, 2SK1933, 2SK2084L, 2SK2084STL-E, IRF9540, 2SK2225, 2SK2329-01STL-E, 2SK2329L, 2SK2393, 2SK2408, 2SK2553L, 2SK2553S, 2SK2684L
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181 | 2sb324 | 2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640







