Справочник MOSFET. 2SK3161S

 

2SK3161S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 2SK3161S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
   Тип корпуса: LDPAK

 Аналог (замена) для 2SK3161S

 

 

2SK3161S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:356K  inchange semiconductor
 2sk3161s.pdf

2SK3161S 2SK3161S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3161SFEATURESDrain Current : I = 15A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 115m(Max) @VGS= 10VDS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid

 7.1. Size:108K  renesas
 rej03g1086 2sk3161lsds.pdf

2SK3161S 2SK3161S

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 7.2. Size:94K  renesas
 2sk3161.pdf

2SK3161S 2SK3161S

2SK3161(L), 2SK3161(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching REJ03G1086-0300 (Previous: ADE-208-734A) Rev.3.00 Sep 07, 2005 Features Low on-resistance RDS =90 m typ. High speed switching 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Outline RENESAS Package code: PRSS0004AE-A RENESAS Package code: PRSS0004AE-B(Package name: LDPAK(L)

 7.3. Size:282K  inchange semiconductor
 2sk3161l.pdf

2SK3161S 2SK3161S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3161LFEATURESDrain Current : I = 15A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 115m(Max) @VGS= 10VDS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid

Другие MOSFET... 2SK3135L , 2SK3135S , 2SK3141-01 , 2SK3147L , 2SK3147S , 2SK3150L , 2SK3150S , 2SK3161L , IRF530 , 2SK3210L , 2SK3210S , 2SK3211L , 2SK3211S , 2SK3274L , 2SK3274S , 2SK3418 , 2SK3419 .

 

 
Back to Top