Справочник MOSFET. 2SK3210L

 

2SK3210L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 2SK3210L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 180 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 820 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: LDPAK

 Аналог (замена) для 2SK3210L

 

 

2SK3210L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:283K  inchange semiconductor
 2sk3210l.pdf

2SK3210L 2SK3210L

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3210LFEATURESDrain Current : I = 30A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 150V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 45m(Max) @VGS= 10VDS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid

 0.1. Size:164K  renesas
 r07ds0409ej 2sk3210ls.pdf

2SK3210L 2SK3210L

Preliminary Datasheet 2SK3210(L), 2SK3210(S) R07DS0409EJ0400(Previous: REJ03G0414-0300)Silicon N Channel MOS FET Rev.4.00High Speed Power Switching May 16, 2011Features Low on-resistance RDS = 40 m typ. High speed switching 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Outline RENESAS Package code: PRSS0004AE-A RENESAS Package code: PRSS0004AE-B

 7.1. Size:157K  renesas
 2sk3210.pdf

2SK3210L 2SK3210L

2SK3210(L), 2SK3210(S)Silicon N Channel MOS FETHigh Speed Power SwitchingREJ03G0414-0300(Previous ADE-208-760A (Z))Rev.3.00Sep. 30, 2004Features Low on-resistanceRDS = 40 m typ. High speed switching 4 V gate drive device can be driven from 5 V sourceOutlineLDPAKD4 41. Gate2. DrainG3. Source4. Drain123123SAbsolute Maximum Rating

 7.2. Size:357K  inchange semiconductor
 2sk3210s.pdf

2SK3210L 2SK3210L

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3210SFEATURESDrain Current : I = 30A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 150V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 45m(Max) @VGS= 10VDS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: FDP150N10

 

 
Back to Top