H5N5016PL - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

H5N5016PL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: H5N5016PL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 130 nC
   trⓘ - Время нарастания: 190 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 720 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.128 Ohm
   Тип корпуса: TO3PL

Аналог (замена) для H5N5016PL

H5N5016PL Datasheet (PDF)

..1. Size:153K renesas
rej03g0175 h5n5016pl.pdf

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

0.1. Size:146K renesas
h5n5016pl-e0-e.pdf

Preliminary Datasheet H5N5016PL-E0-E R07DS1200EJ0100500V - 50A - MOS FET Rev.1.00High Speed Power Switching Mar 25, 2014Features Low on-resistance RDS(on) = 0.108 typ. (at ID = 25 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) Low leakage current High speed switching Built-in fast recovery diode Outline RENESAS Package code: PRSS0003ZC-A(Package name:TO-264)D1.

8.1. Size:69K renesas
rej03g0378 h5n5012p.pdf