BUZ11FI - описание и поиск аналогов

 

BUZ11FI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUZ11FI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 21 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: ISOWATT220

Аналог (замена) для BUZ11FI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ11FI даташит

 9.1. Size:116K  st
buz11a.pdfpdf_icon

BUZ11FI

BUZ11A N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS TYPE V R I DSS DS(on) D BUZ11A 50 V

 9.2. Size:173K  st
buz11.pdfpdf_icon

BUZ11FI

BUZ11 BUZ11FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS TYPE V R I DSS DS(on) D BUZ11 50 V

 9.3. Size:384K  st
buz11s2 buz11s2fi.pdfpdf_icon

BUZ11FI

 9.4. Size:81K  fairchild semi
buz11.pdfpdf_icon

BUZ11FI

BUZ11 Data Sheet June 1999 File Number 2253.2 30A, 50V, 0.040 Ohm, N-Channel Power Features MOSFET 30A, 50V [ /Title This is an N-Channel enhancement mode silicon gate power rDS(ON) = 0.040 (BUZ1 field effect transistor designed for applications such as SOA is Power Dissipation Limited 1) switching regulators, switching converters, motor drivers, Nanosecond Sw

Другие MOSFET... BUP68 , BUP69 , BUP70 , BUP71 , BUZ10 , BUZ10A , BUZ11 , BUZ11A , IRLZ44N , BUZ20 , BUZ21 , BUZ23 , BUZ24 , BUZ25 , BUZ32 , BUZ35 , BUZ36 .

History: BUZ41A

 

 

 


 
↑ Back to Top
.