Справочник MOSFET. HAT2016R

 

HAT2016R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HAT2016R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 270 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для HAT2016R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HAT2016R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1639K  cn vbsemi
hat2016r.pdfpdf_icon

HAT2016R

HAT2016Rwww.VBsemi.twDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.022 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.830 15 nC 100 % UIS Tested0.026 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Set Top Box

 0.1. Size:109K  renesas
rej03g1156 hat2016rds.pdfpdf_icon

HAT2016R

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 0.2. Size:1056K  cn vbsemi
hat2016rj.pdfpdf_icon

HAT2016R

HAT2016RJwww.VBsemi.twDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.022 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.830 15 nC 100 % UIS Tested0.026 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Set Top Box

 8.1. Size:65K  hitachi
hat2019r.pdfpdf_icon

HAT2016R

HAT2019R N MOS FETADJ-208-474 (Z)96.06 2.5V SOP856784325 6 7 8 1D D D D4G1, 2, 3 Source4 Gate5, 6, 7, 8 DrainS S

Другие MOSFET... HAT1108C , HAT1110R , HAT1111C , HAT1123R , HAT1126R , HAT1126RJ , HAT1146C , HAT1147C , STP75NF75 , HAT2019R , HAT2020R , HAT2022R , HAT2024R , HAT2026R , HAT2027R , HAT2028R , HAT2029R .

History: SQ3456BEV | AP90T06GP-HF | BRCS120N06SYM | MTP4N90 | P1850EF | NDD60N900U1 | DMN67D8LW

 

 
Back to Top

 


 
.