HAT2016R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HAT2016R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 270 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для HAT2016R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HAT2016R даташит

 ..1. Size:1639K  cn vbsemi
 hat2016r.pdf pdf_icon

HAT2016R

HAT2016R www.VBsemi.tw Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.022 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 6.8 30 15 nC 100 % UIS Tested 0.026 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Set Top Box

 0.1. Size:109K  renesas
 rej03g1156 hat2016rds.pdf pdf_icon

HAT2016R

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 0.2. Size:1056K  cn vbsemi
 hat2016rj.pdf pdf_icon

HAT2016R

 8.1. Size:65K  hitachi
 hat2019r.pdf pdf_icon

HAT2016R

HAT2019R N MOS FET ADJ-208-474 (Z) 96.06 2.5V SOP 8 5 6 7 8 4 3 2 5 6 7 8 1 D D D D 4 G 1, 2, 3 Source 4 Gate 5, 6, 7, 8 Drain S S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HAT1108C, HAT1110R, HAT1111C, HAT1123R, HAT1126R, HAT1126RJ, HAT1146C, HAT1147C, 7N65, HAT2019R, HAT2020R, HAT2022R, HAT2024R, HAT2026R, HAT2027R, HAT2028R, HAT2029R