HAT3032R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HAT3032R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для HAT3032R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HAT3032R даташит

 8.1. Size:136K  renesas
 hat3038r.pdf pdf_icon

HAT3032R

Data Sheet HAT3038R Silicon N/P Channel Power MOSFET Power Switching R07DS1375EJ0301 Rev.3.01 Jan 20, 2017 Features Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Outline RENESAS Package code PRSP0008DD-D (Package name SOP-8) 7 8 5 6 D D D D 5 6 7 8 2 4 4 3 2 G G 1 1, 3 Source 2, 4 Gate 5, 6, 7, 8 Drain S 1 S 3 N

 8.2. Size:134K  renesas
 hat3037r.pdf pdf_icon

HAT3032R

Data Sheet HAT3037R Silicon N/P Channel Power MOSFET Power Switching R07DS1374EJ0501 Rev.5.01 Jan 20, 2017 Features Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Outline RENESAS Package code PRSP0008DD-D (Package name SOP-8) 7 8 5 6 D D D D 5 6 7 8 2 4 4 3 2 G G 1 1, 3 Source 2, 4 Gate 5, 6, 7, 8 Drain S 1 S 3 N

 8.3. Size:298K  renesas
 hat3036r.pdf pdf_icon

HAT3032R

Data Sheet HAT3036R Silicon N/P Channel Power MOSFET Power Switching R07DS1373EJ0501 Rev.5.01 Jan 20, 2017 Features Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Outline RENESAS Package code PRSP0008DD-D (Package name SOP-8) 7 8 5 6 D D D D 5 6 7 8 2 4 4 G G 3 2 1 1, 3 Source 2, 4 Gate 5, 6, 7, 8 Drain S 1 S 3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HAT3010R, HAT3015R, HAT3015T, HAT3018R, HAT3019R, HAT3021R, HAT3029R, HAT3031R, SI2302, HAT3036R, HAT3037R, HAT3038R, HAT3040R, HAT3042C, HAT3043C, HITJ0201MP, HITJ0202MP