Справочник MOSFET. HITJ0202MP

 

HITJ0202MP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HITJ0202MP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 57 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 102 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: MPAK
 

 Аналог (замена) для HITJ0202MP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HITJ0202MP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:85K  renesas
r07ds0474ej hitj0202mp.pdfpdf_icon

HITJ0202MP

Preliminary Datasheet HITJ0202MP R07DS0474EJ0100Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 83 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.4 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3DG 1. Source32 2. Gate3. Dra

 7.1. Size:86K  renesas
r07ds0476ej hitj0204mp.pdfpdf_icon

HITJ0202MP

Preliminary Datasheet HITJ0204MP R07DS0476EJ0100Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 219 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 0.8 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate3. Dr

 7.2. Size:85K  renesas
r07ds0475ej hitj0203mp.pdfpdf_icon

HITJ0202MP

Preliminary Datasheet HITJ0203MP R07DS0475EJ0100Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 142 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.1 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate13.

 7.3. Size:85K  renesas
r07ds0473ej hitj0201mp.pdfpdf_icon

HITJ0202MP

Preliminary Datasheet HITJ0201MP R07DS0473EJ0100Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 53 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.8 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate13.

Другие MOSFET... HAT3032R , HAT3036R , HAT3037R , HAT3038R , HAT3040R , HAT3042C , HAT3043C , HITJ0201MP , IRF830 , HITJ0203MP , HITJ0204MP , HITJ0302MP , HITJ0303MP , HITK0201MP , HITK0202MP , HITK0203MP , HITK0204MP .

History: TK100E10N1 | APT5017BLC | KI001PW

 

 
Back to Top

 


 
.