Справочник MOSFET. HITJ0203MP

 

HITJ0203MP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HITJ0203MP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: MPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HITJ0203MP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:85K  renesas
r07ds0475ej hitj0203mp.pdfpdf_icon

HITJ0203MP

Preliminary Datasheet HITJ0203MP R07DS0475EJ0100Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 142 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.1 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate13.

 7.1. Size:86K  renesas
r07ds0476ej hitj0204mp.pdfpdf_icon

HITJ0203MP

Preliminary Datasheet HITJ0204MP R07DS0476EJ0100Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 219 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 0.8 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate3. Dr

 7.2. Size:85K  renesas
r07ds0473ej hitj0201mp.pdfpdf_icon

HITJ0203MP

Preliminary Datasheet HITJ0201MP R07DS0473EJ0100Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 53 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.8 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate13.

 7.3. Size:85K  renesas
r07ds0474ej hitj0202mp.pdfpdf_icon

HITJ0203MP

Preliminary Datasheet HITJ0202MP R07DS0474EJ0100Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 83 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.4 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3DG 1. Source32 2. Gate3. Dra

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SFG180N10KF | STB10NK60ZT4 | NCEAP016N10LL | BUK455-100B | SI7413DN | FDG6320C | SSF65R420S2

 

 
Back to Top

 


 
.