HITJ0204MP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HITJ0204MP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
Тип корпуса: MPAK
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
HITJ0204MP Datasheet (PDF)
r07ds0476ej hitj0204mp.pdf

Preliminary Datasheet HITJ0204MP R07DS0476EJ0100Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 219 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 0.8 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate3. Dr
r07ds0475ej hitj0203mp.pdf

Preliminary Datasheet HITJ0203MP R07DS0475EJ0100Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 142 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.1 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate13.
r07ds0473ej hitj0201mp.pdf

Preliminary Datasheet HITJ0201MP R07DS0473EJ0100Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 53 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.8 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate13.
r07ds0474ej hitj0202mp.pdf

Preliminary Datasheet HITJ0202MP R07DS0474EJ0100Silicon P Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 83 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.4 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3DG 1. Source32 2. Gate3. Dra
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: IRLR3714Z | IPU60R1K0CE
History: IRLR3714Z | IPU60R1K0CE



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet