Справочник MOSFET. HITK0201MP

 

HITK0201MP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HITK0201MP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 106 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
   Тип корпуса: MPAK
 

 Аналог (замена) для HITK0201MP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HITK0201MP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:85K  renesas
r07ds0479ej hitk0201mp.pdfpdf_icon

HITK0201MP

Preliminary Datasheet HITK0201MP R07DS0479EJ0100Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 25 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 2.4 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate13. Drain

 7.1. Size:85K  renesas
r07ds0482ej hitk0204mp.pdfpdf_icon

HITK0201MP

Preliminary Datasheet HITK0204MP R07DS0482EJ0100Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 100 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.2 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate3. Drain1

 7.2. Size:86K  renesas
r07ds0480ej hitk0202mp.pdfpdf_icon

HITK0201MP

Preliminary Datasheet HITK0202MP R07DS0480EJ0100Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 42 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.9 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate3. Drain1

 7.3. Size:84K  renesas
r07ds0481ej hitk0203mp.pdfpdf_icon

HITK0201MP

Preliminary Datasheet HITK0203MP R07DS0481EJ0100Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 68 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.5 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3DG3 1. Source2 2. Gate3. Drain1

Другие MOSFET... HAT3042C , HAT3043C , HITJ0201MP , HITJ0202MP , HITJ0203MP , HITJ0204MP , HITJ0302MP , HITJ0303MP , IRF730 , HITK0202MP , HITK0203MP , HITK0204MP , HITK0302MP , HITK0303MP , HS54095 , HS54095TZ-E , HS56021 .

History: NCE1570 | AMA430N

 

 
Back to Top

 


 
.