HITK0201MP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HITK0201MP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 106 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm

Тип корпуса: MPAK

Аналог (замена) для HITK0201MP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HITK0201MP даташит

 ..1. Size:85K  renesas
 r07ds0479ej hitk0201mp.pdf pdf_icon

HITK0201MP

Preliminary Datasheet HITK0201MP R07DS0479EJ0100 Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00 Power Switching Jun 22, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 25 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 2.4 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D 3 G 1. Source 2 2. Gate 1 3. Drain

 7.1. Size:85K  renesas
 r07ds0482ej hitk0204mp.pdf pdf_icon

HITK0201MP

Preliminary Datasheet HITK0204MP R07DS0482EJ0100 Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00 Power Switching Jun 22, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 100 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.2 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D 3 G 1. Source 2 2. Gate 3. Drain 1

 7.2. Size:86K  renesas
 r07ds0480ej hitk0202mp.pdf pdf_icon

HITK0201MP

Preliminary Datasheet HITK0202MP R07DS0480EJ0100 Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00 Power Switching Jun 22, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 42 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.9 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D 3 G 1. Source 2 2. Gate 3. Drain 1

 7.3. Size:84K  renesas
 r07ds0481ej hitk0203mp.pdf pdf_icon

HITK0201MP

Preliminary Datasheet HITK0203MP R07DS0481EJ0100 Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00 Power Switching Jun 22, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 68 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.5 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D G 3 1. Source 2 2. Gate 3. Drain 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HAT3042C, HAT3043C, HITJ0201MP, HITJ0202MP, HITJ0203MP, HITJ0204MP, HITJ0302MP, HITJ0303MP, IRFB31N20D, HITK0202MP, HITK0203MP, HITK0204MP, HITK0302MP, HITK0303MP, HS54095, HS54095TZ-E, HS56021