HITK0204MP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HITK0204MP  📄📄 

Маркировка: TG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSoff|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 0.4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 1.5 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: MPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HITK0204MP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HITK0204MP даташит

 ..1. Size:85K  renesas
 r07ds0482ej hitk0204mp.pdf pdf_icon

HITK0204MP

Preliminary Datasheet HITK0204MP R07DS0482EJ0100 Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00 Power Switching Jun 22, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 100 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.2 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D 3 G 1. Source 2 2. Gate 3. Drain 1

 7.1. Size:85K  renesas
 r07ds0479ej hitk0201mp.pdf pdf_icon

HITK0204MP

Preliminary Datasheet HITK0201MP R07DS0479EJ0100 Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00 Power Switching Jun 22, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 25 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 2.4 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D 3 G 1. Source 2 2. Gate 1 3. Drain

 7.2. Size:86K  renesas
 r07ds0480ej hitk0202mp.pdf pdf_icon

HITK0204MP

Preliminary Datasheet HITK0202MP R07DS0480EJ0100 Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00 Power Switching Jun 22, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 42 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.9 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D 3 G 1. Source 2 2. Gate 3. Drain 1

 7.3. Size:84K  renesas
 r07ds0481ej hitk0203mp.pdf pdf_icon

HITK0204MP

Preliminary Datasheet HITK0203MP R07DS0481EJ0100 Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00 Power Switching Jun 22, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 68 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.5 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D G 3 1. Source 2 2. Gate 3. Drain 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HITJ0202MP, HITJ0203MP, HITJ0204MP, HITJ0302MP, HITJ0303MP, HITK0201MP, HITK0202MP, HITK0203MP, 7N60, HITK0302MP, HITK0303MP, HS54095, HS54095TZ-E, HS56021, RJJ0101DPD, RJJ0315DPA, RJJ0621DPP