Справочник MOSFET. HITK0303MP

 

HITK0303MP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HITK0303MP
   Маркировка: MG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 87 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.053 Ohm
   Тип корпуса: MPAK

 Аналог (замена) для HITK0303MP

 

 

HITK0303MP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:83K  renesas
 r07ds0484ej hitk0303mp.pdf

HITK0303MP HITK0303MP

Preliminary Datasheet HITK0303MP R07DS0484EJ0100Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 42 m typ (VGS = 10 V, ID = 1.8 A) Low drive current High speed switching 4.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate13. Drain

 7.1. Size:83K  renesas
 r07ds0483ej hitk0302mp.pdf

HITK0303MP HITK0303MP

Preliminary Datasheet HITK0302MP R07DS0483EJ0100Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 92 m typ (VGS = 10 V, ID = 1.3 A) Low drive current High speed switching 4.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3DG 1. Source32 2. Gate3. Drain1

 9.1. Size:85K  renesas
 r07ds0482ej hitk0204mp.pdf

HITK0303MP HITK0303MP

Preliminary Datasheet HITK0204MP R07DS0482EJ0100Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 100 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.2 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate3. Drain1

 9.2. Size:85K  renesas
 r07ds0479ej hitk0201mp.pdf

HITK0303MP HITK0303MP

Preliminary Datasheet HITK0201MP R07DS0479EJ0100Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 25 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 2.4 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate13. Drain

 9.3. Size:86K  renesas
 r07ds0480ej hitk0202mp.pdf

HITK0303MP HITK0303MP

Preliminary Datasheet HITK0202MP R07DS0480EJ0100Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 42 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.9 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1. Source2 2. Gate3. Drain1

 9.4. Size:84K  renesas
 r07ds0481ej hitk0203mp.pdf

HITK0303MP HITK0303MP

Preliminary Datasheet HITK0203MP R07DS0481EJ0100Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00Power Switching Jun 22, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 68 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.5 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3DG3 1. Source2 2. Gate3. Drain1

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top