Справочник MOSFET. RJK0204DPA

 

RJK0204DPA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RJK0204DPA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 750 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm
   Тип корпуса: WPAK

 Аналог (замена) для RJK0204DPA

 

 

RJK0204DPA Datasheet (PDF)

 0.1. Size:79K  renesas
 rej03g1922 rjk0204dpads.pdf

RJK0204DPA RJK0204DPA

Preliminary Datasheet RJK0204DPA Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode REJ03G1922-0210Power Switching Rev.2.10Apr 27, 2010Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 2.2 m typ. (at VGS = 10 V) Pb-free Halogen-free Outline RENES

 8.1. Size:79K  renesas
 rej03g1923 rjk0206dpads.pdf

RJK0204DPA RJK0204DPA

Preliminary Datasheet RJK0206DPA Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode REJ03G1923-0200Power Switching Rev.2.00Apr 27, 2010Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 1.5 m typ. (at VGS = 10 V) Pb-free Halogen-free Outline RENES

 8.2. Size:85K  renesas
 r07ds0238ej rjk0202dsp.pdf

RJK0204DPA RJK0204DPA

Preliminary Datasheet RJK0202DSP R07DS0238EJ0220Silicon N Channel Power MOS FET Rev.2.20Power Switching Jan 05, 2011Features High speed switching Capable of 2.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 5.0 m typ. (at VGS = 4.5 V) Outline RENESAS Package code: PRSP0008DD-D(Package name: SOP-8

 8.3. Size:79K  renesas
 rej03g1924 rjk0208dpads.pdf

RJK0204DPA RJK0204DPA

Preliminary Datasheet RJK0208DPA Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode REJ03G1924-0200Power Switching Rev.2.00Apr 27, 2010Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 1.6 m typ. (at VGS = 10 V) Pb-free Halogen-free Outline RENES

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top