Справочник MOSFET. RJK0204DPA

 

RJK0204DPA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RJK0204DPA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 750 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm
   Тип корпуса: WPAK
 

 Аналог (замена) для RJK0204DPA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJK0204DPA Datasheet (PDF)

 0.1. Size:79K  renesas
rej03g1922 rjk0204dpads.pdfpdf_icon

RJK0204DPA

Preliminary Datasheet RJK0204DPA Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode REJ03G1922-0210Power Switching Rev.2.10Apr 27, 2010Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 2.2 m typ. (at VGS = 10 V) Pb-free Halogen-free Outline RENES

 8.1. Size:79K  renesas
rej03g1923 rjk0206dpads.pdfpdf_icon

RJK0204DPA

Preliminary Datasheet RJK0206DPA Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode REJ03G1923-0200Power Switching Rev.2.00Apr 27, 2010Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 1.5 m typ. (at VGS = 10 V) Pb-free Halogen-free Outline RENES

 8.2. Size:85K  renesas
r07ds0238ej rjk0202dsp.pdfpdf_icon

RJK0204DPA

Preliminary Datasheet RJK0202DSP R07DS0238EJ0220Silicon N Channel Power MOS FET Rev.2.20Power Switching Jan 05, 2011Features High speed switching Capable of 2.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 5.0 m typ. (at VGS = 4.5 V) Outline RENESAS Package code: PRSP0008DD-D(Package name: SOP-8

 8.3. Size:79K  renesas
rej03g1924 rjk0208dpads.pdfpdf_icon

RJK0204DPA

Preliminary Datasheet RJK0208DPA Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode REJ03G1924-0200Power Switching Rev.2.00Apr 27, 2010Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 1.6 m typ. (at VGS = 10 V) Pb-free Halogen-free Outline RENES

Другие MOSFET... HS54095 , HS54095TZ-E , HS56021 , RJJ0101DPD , RJJ0315DPA , RJJ0621DPP , RJJ1011DPD , RJK0202DSP , 2N7002 , RJK0206DPA , RJK0208DPA , RJK0210DPA , RJK0211DPA , RJK0212DPA , RJK0213DPA , RJK0214DPA , RJK0215DPA .

History: ALD1106PBL | MTP15N05 | IRFS3307ZTRL

 

 
Back to Top

 


 
.