RJK0215DPA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RJK0215DPA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0076 Ohm

Тип корпуса: WPAK

Аналог (замена) для RJK0215DPA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJK0215DPA даташит

 ..1. Size:254K  renesas
 r07ds0207ej rjk0215dpa.pdf pdf_icon

RJK0215DPA

Preliminary Datasheet RJK0215DPA Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode R07DS0207EJ0110 High Speed Power Switching Rev.1.10 Sep 05, 2011 Applications DC-DC conversion for PC and Server. Features Low on-resistance Capable of 4.5 V gate drive High density mounting Pb-free Halogen-free Outline RENESAS Package code PWSN0008DD-A

 8.1. Size:126K  renesas
 r07ds0219ej rjk0212dpa.pdf pdf_icon

RJK0215DPA

Preliminary Datasheet RJK0212DPA R07DS0219EJ0200 Silicon N Channel Power MOS FET Rev.2.00 Power Switching Dec 07, 2010 Features Very high speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 9 m typ. (at VGS = 10 V) Pb-free Halogen-free Outline RENESAS Package code PWSN0008

 8.2. Size:127K  renesas
 r07ds0217ej rjk0210dpa.pdf pdf_icon

RJK0215DPA

Preliminary Datasheet RJK0210DPA R07DS0217EJ0200 Silicon N Channel Power MOS FET Rev.2.00 Power Switching Dec 07, 2010 Features Very high speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 4.5 m typ. (at VGS = 10 V) Pb-free Halogen-free Outline RENESAS Package code PWSN00

 8.3. Size:152K  renesas
 rej03g1942 rjk0213dpads.pdf pdf_icon

RJK0215DPA

Preliminary Datasheet RJK0213DPA Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode REJ03G1942-0100 Power Switching Rev.1.00 Jun 15, 2010 Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 1.85 m typ. (at VGS = 10 V) Pb-free Halogen-free Outline RENE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJK0204DPA, RJK0206DPA, RJK0208DPA, RJK0210DPA, RJK0211DPA, RJK0212DPA, RJK0213DPA, RJK0214DPA, IRF3205, RJK0216DPA, RJK0222DNS, RJK0223DNS, RJK0225DNS, RJK0226DNS, RJK0230DPA, RJK0301DPB, RJK0301DPC