RJK0397DPA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RJK0397DPA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0101 Ohm

Тип корпуса: WPAK

Аналог (замена) для RJK0397DPA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJK0397DPA даташит

 0.1. Size:92K  renesas
 rej03g1788 rjk0397dpads.pdf pdf_icon

RJK0397DPA

Preliminary Datasheet RJK0397DPA REJ03G1788-0230 Silicon N Channel Power MOS FET Rev.2.30 Power Switching May 12, 2010 Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 7.8 m typ. (at VGS = 10 V) Pb-free Halogen-free Outline RENESAS Package code PWSN0008DC-

 8.1. Size:118K  renesas
 rej03g1823 rjk0390dpads.pdf pdf_icon

RJK0397DPA

Preliminary Datasheet RJK0390DPA REJ03G1823-0130 Silicon N Channel Power MOS FET Rev.1.30 Power Switching May 12, 2010 Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 1.7 m typ. (at VGS = 10 V) Pb-free Halogen-free Outline RENESAS Package code PWSN0008DC-

 8.2. Size:92K  renesas
 rej03g1786 rjk0395dpads.pdf pdf_icon

RJK0397DPA

Preliminary Datasheet RJK0395DPA REJ03G1786-0210 Silicon N Channel Power MOS FET Rev.2.10 Power Switching May 12, 2010 Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 5.9 m typ. (at VGS = 10 V) Pb-free Halogen-free Outline RENESAS Package code PWSN0008DC-

 8.3. Size:92K  renesas
 rej03g1787 rjk0396dpads.pdf pdf_icon

RJK0397DPA

Preliminary Datasheet RJK0396DPA REJ03G1787-0210 Silicon N Channel Power MOS FET Rev.2.10 Power Switching May 12, 2010 Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 6.9 m typ. (at VGS = 10 V) Pb-free Halogen-free Outline RENESAS Package code PWSN0008DC-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJK0389DPA, RJK0390DPA, RJK0391DPA, RJK0392DPA, RJK0393DPA, RJK0394DPA, RJK0395DPA, RJK0396DPA, STP80NF70, RJK03A4DPA, RJK03B7DPA, RJK03B8DPA, RJK03B9DPA, RJK03C0DPA, RJK03C1DPB, RJK03C2DPB, RJK03C5DPA