RJK1525DPE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RJK1525DPE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.093 Ohm

Тип корпуса: LDPAK

Аналог (замена) для RJK1525DPE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJK1525DPE даташит

 5.1. Size:96K  renesas
 rjk1525dpj.pdf pdf_icon

RJK1525DPE

Preliminary Datasheet RJK1525DPJ, RJK1525DPE, RJK1525DPF REJ03G0623-0200 Silicon N Channel MOS FET Rev.2.00 High Speed Power Switching Jun 30, 2010 Features Low on-resistance Low leakage current High speed switching Outline RENESAS Package code PRSS0004AE-A RENESAS Package code PRSS0004AE-B RENESAS Package code PRSS0004AE-C (Package name LDPAK(L)) (Package

 5.2. Size:83K  renesas
 rjk1525dpp-m0.pdf pdf_icon

RJK1525DPE

Preliminary Datasheet RJK1525DPP-M0 R07DS0966EJ0100 150V - 17A - MOS FET Rev.1.00 High Speed Power Switching Nov 20, 2012 Features Low on-resistance RDS(on) = 0.089 typ. (at ID = 8.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C) Low leakage current High speed switching Outline RENESAS Package code PRSS0003AF-A (Package name TO-220FL) D 1. Gate 2. Drain G 3. Source

 5.3. Size:98K  renesas
 rej03g0623 rjk1525dpj.pdf pdf_icon

RJK1525DPE

Preliminary Datasheet RJK1525DPJ, RJK1525DPE, RJK1525DPF REJ03G0623-0200 Silicon N Channel MOS FET Rev.2.00 High Speed Power Switching Jun 30, 2010 Features Low on-resistance Low leakage current High speed switching Outline RENESAS Package code PRSS0004AE-A RENESAS Package code PRSS0004AE-B RENESAS Package code PRSS0004AE-C (Package name LDPAK(L)) (Package

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJK1053DPB, RJK1054DPB, RJK1055DPB, RJK1056DPB, RJK1211DNS, RJK1211DPA, RJK1212DNS, RJK1212DPA, 2N7000, RJK1525DPF, RJK1526DPE, RJK1526DPF, RJK1526DPJ, RJK1529DPK, RJK1535DPE, RJK1536DPE, RJK1536DPN