BUZ71FI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BUZ71FI
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: ISOWATT220
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
BUZ71FI Datasheet (PDF)
buz71.pdf

BUZ71N - CHANNEL 50V - 0.085 - 17A TO-220STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDBUZ71 50 V
buz71a.pdf

BUZ71ABUZ71AFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORSTYPE V R IDSS DS(on) DBUZ71A 50 V
buz71s2.pdf

BUZ 71 S2Not for new designSIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 71 S2 60 V 14 A 0.1 TO-220 AB C67078-S1316-A9Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 28 C 14Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C 56Avalanche curren
Другие MOSFET... BUZ50B-TO220M , BUZ60 , BUZ60B , BUZ63 , BUZ64 , BUZ71 , BUZ71A , BUZ71AFI , 5N60 , BUZ72A , BUZ74 , BUZ74A , BUZ76 , BUZ76A , BUZ80 , BUZ80A , BUZ80AFI .
History: IRLML5203PBF | 1N60G | HYG400P10LR1D | TMP3N50AZ | IRF3707SPBF | PS04P30SA | WFP840B
History: IRLML5203PBF | 1N60G | HYG400P10LR1D | TMP3N50AZ | IRF3707SPBF | PS04P30SA | WFP840B



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
jcs50n20wt | 2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y | ktc3964 | s9013 transistor equivalent