RJK3008DPK datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RJK3008DPK

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 131 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.083 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для RJK3008DPK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJK3008DPK даташит

 0.1. Size:89K  renesas
 rej03g1587 rjk3008dpkds.pdf pdf_icon

RJK3008DPK

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие IGBT... RJK2017DPP, RJK2054DPC, RJK2055DPA, RJK2057DPA, RJK2508DPK, RJK2511DPK, RJK2555DPA, RJK2557DPA, IRFB3607, RJK4002DPP-M0, RJK4006DPD, RJK4006DPP-M0, RJK4007DPP-M0, RJK4012DPE, RJK4013DPE, RJK4014DPK, RJK4015DPK