RJK4007DPP-M0 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги RJK4007DPP-M0. Основные параметры


   Наименование производителя: RJK4007DPP-M0
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.47 Ohm
   Тип корпуса: TO220FL
 

 Аналог (замена) для RJK4007DPP-M0

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJK4007DPP-M0 даташит

 4.1. Size:76K  renesas
r07ds0229ej rjk4007dpp.pdfpdf_icon

RJK4007DPP-M0

Preliminary Datasheet RJK4007DPP-M0 R07DS0229EJ0100 Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00 High Speed Power Switching Dec 15, 2010 Features Low on-resistance RDS(on) = 0.47 typ. (at ID = 7 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C) Low leakage current High speed switching Outline RENESAS Package code PRSS0003AF-A (Package name TO-220FL) D 1. Gate 2. Drain G 3. Sourc

 8.1. Size:84K  renesas
rjk4002dje.pdfpdf_icon

RJK4007DPP-M0

Preliminary Datasheet RJK4002DJE R07DS0842EJ0200 400V - 3A - MOS FET Rev.2.00 High Speed Power Switching Aug 03, 2012 Features Low on-state resistance RDS(on) = 2.4 typ. (at ID = 1.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C) High speed switching Outline RENESAS Package code PRSS0003DC-A (Package name TO-92 Mod) D 1. Source G 2. Drain 3. Gate S 3 2 1 Absolute Max

 8.2. Size:79K  renesas
r07ds0228ej rjk4006dpp.pdfpdf_icon

RJK4007DPP-M0

Preliminary Datasheet RJK4006DPP-M0 R07DS0228EJ0100 Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00 High Speed Power Switching Dec 14, 2010 Features Low on-resistance RDS(on) = 0.69 typ. (ID = 4 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C) Low leakage current High speed switching Outline RENESAS Package code PRSS0003AF-A (Package name TO-220FL) D 1. Gate 2. Drain G 3. Source

 8.3. Size:94K  renesas
rjk4002dpd.pdfpdf_icon

RJK4007DPP-M0

Preliminary Datasheet RJK4002DPD R07DS0835EJ0210 400V - 3A - MOS FET Rev.2.10 High Speed Power Switching Jan 29, 2014 Features Low on-state resistance RDS(on) = 2.4 typ. (at ID = 1.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C) Low drive current High speed switching Outline RENESAS Package code PRSS0004ZG-A D (Package name MP-3A) 4 1. Gate 2. Drain G 3. Source 1

Другие MOSFET... RJK2508DPK , RJK2511DPK , RJK2555DPA , RJK2557DPA , RJK3008DPK , RJK4002DPP-M0 , RJK4006DPD , RJK4006DPP-M0 , NCEP15T14 , RJK4012DPE , RJK4013DPE , RJK4014DPK , RJK4015DPK , RJK4018DPK , RJK4512DPE , RJK4513DPE , RJK4514DPK .

 

 
Back to Top

 


 
.