Справочник MOSFET. RJK5033DPD

 

RJK5033DPD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RJK5033DPD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: MP3A
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RJK5033DPD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:70K  renesas
 r07ds0179ej rjk5033dpd.pdf pdf_icon

RJK5033DPD

Preliminary Datasheet RJK5033DPD R07DS0179EJ0100Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00High Speed Power Switching Oct 05, 2010Features Low on-state resistance RDS(on) = 0.96 typ. (ID = 3 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZG-AD(Package name : MP-3A)41. Gate2. DrainG3. Source124. Drain3S

 5.1. Size:78K  renesas
 r07ds0205ej rjk5033dpp.pdf pdf_icon

RJK5033DPD

Preliminary Datasheet RJK5033DPP-M0 R07DS0205EJ0100Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00High Speed Power Switching Nov 29, 2010Features Low on-state resistance RDS(on) = 0.96 typ. (at ID = 3 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0003AF-A(Package name: TO-220FL)D1. Gate2. DrainG3. Source123SAbsol

 8.1. Size:94K  renesas
 r07ds0417ej rjk5031dpd.pdf pdf_icon

RJK5033DPD

Preliminary Datasheet RJK5031DPD R07DS0417EJ0100Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00High Speed Power Switching May 23, 2011Features Low on-state resistance RDS(on) = 2.4 typ. (at ID = 1.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZG-AD(Package name : MP-3A)41. Gate2. DrainG3. Source124. Drain3S

 8.2. Size:77K  renesas
 r07ds0227ej rjk5030dpp.pdf pdf_icon

RJK5033DPD

Preliminary Datasheet RJK5030DPP-M0 R07DS0227EJ0100Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00High Speed Power Switching Dec 14, 2010Features Low on-state resistance RDS(on) = 1.3 typ. (at ID = 2 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0003AF-A(Package name: TO-220FL)D1. Gate2. DrainG3. Source123SAbsolu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRF9Z34NSPBF | BL2N60-A

 

 
Back to Top

 


 
.