RQJ0603LGDQA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RQJ0603LGDQA
Маркировка: LG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.4 nC
trⓘ - Время нарастания: 26 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 59 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.198 Ohm
Тип корпуса: SC59A MPAK
Аналог (замена) для RQJ0603LGDQA
RQJ0603LGDQA Datasheet (PDF)
r07ds0300ej rqj0603lgd.pdf
Preliminary Datasheet RQJ0603LGDQA R07DS0300EJ0500(Previous: REJ03G1274-0400)Silicon P Channel MOS FET Rev.5.00Power Switching Mar 28, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 158 m typ (VGS = 10 V, ID = 0.9 A) Low drive current High speed switching 4.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3
rej03g1268 rqj0602egdqsds.pdf
To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
r07ds0299ej rqj0602egd.pdf
Preliminary Datasheet RQJ0602EGDQA R07DS0299EJ0500(Previous: REJ03G1273-0400)Silicon P Channel MOS FET Rev.5.00Power Switching Mar 28, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 490 m typ (VGS = 10 V, ID = 0.55 A) Low drive current High speed switching 4.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3
rej03g1266 rqj0601dgdqsds.pdf
To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918