Справочник MOSFET. RQK0201QGDQA

 

RQK0201QGDQA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RQK0201QGDQA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 106 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
   Тип корпуса: SC59A MPAK
 

 Аналог (замена) для RQK0201QGDQA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQK0201QGDQA Datasheet (PDF)

 4.1. Size:85K  renesas
r07ds0301ej rqk0201qgd.pdfpdf_icon

RQK0201QGDQA

Preliminary Datasheet RQK0201QGDQA R07DS0301EJ0400(Previous: REJ03G1321-0300)Silicon N Channel MOS FET Rev.4.00Power Switching Mar 28, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 25 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 2.4 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1.

 8.1. Size:85K  renesas
r07ds0304ej rqk0204tgd.pdfpdf_icon

RQK0201QGDQA

Preliminary Datasheet RQK0204TGDQA R07DS0304EJ0400(Previous: REJ03G1324-0300)Silicon N Channel MOS FET Rev.4.00Power Switching Mar 28, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 100 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.2 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1.

 8.2. Size:84K  renesas
r07ds0303ej rqk0203sgd.pdfpdf_icon

RQK0201QGDQA

Preliminary Datasheet RQK0203SGDQA R07DS0303EJ0400(Previous: REJ03G1323-0300)Silicon N Channel MOS FET Rev.4.00Power Switching Mar 28, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 68 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.5 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3DG3 1.

 8.3. Size:85K  renesas
r07ds0302ej rqk0202rgd.pdfpdf_icon

RQK0201QGDQA

Preliminary Datasheet RQK0202RGDQA R07DS0302EJ0400(Previous: REJ03G1322-0300)Silicon N Channel MOS FET Rev.4.00Power Switching Mar 28, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 42 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.9 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1.

Другие MOSFET... RQJ0305EQDQA , RQJ0305EQDQS , RQJ0306FQDQA , RQJ0306FQDQS , RQJ0601DGDQS , RQJ0602EGDQA , RQJ0602EGDQS , RQJ0603LGDQA , 8205A , RQK0202RGDQA , RQK0203SGDQA , RQK0204TGDQA , RQK0301FGDQS , RQK0302GGDQA , RQK0302GGDQS , RQK0303MGDQA , RQK0601AGDQS .

History: AP04N60H-HF | P0460ED | IXTK17N120L | ZXM62N03G | SM7003NSFH | SI4776DY | RFH25P10

 

 
Back to Top

 


 
.