RQK0204TGDQA - описание и поиск аналогов

 

RQK0204TGDQA - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RQK0204TGDQA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: SC59A MPAK
 

 Аналог (замена) для RQK0204TGDQA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQK0204TGDQA технические параметры

 4.1. Size:85K  renesas
 r07ds0304ej rqk0204tgd.pdf pdf_icon

RQK0204TGDQA

Preliminary Datasheet RQK0204TGDQA R07DS0304EJ0400 (Previous REJ03G1324-0300) Silicon N Channel MOS FET Rev.4.00 Power Switching Mar 28, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 100 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.2 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D 3 G 1.

 8.1. Size:84K  renesas
 r07ds0303ej rqk0203sgd.pdf pdf_icon

RQK0204TGDQA

Preliminary Datasheet RQK0203SGDQA R07DS0303EJ0400 (Previous REJ03G1323-0300) Silicon N Channel MOS FET Rev.4.00 Power Switching Mar 28, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 68 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.5 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D G 3 1.

 8.2. Size:85K  renesas
 r07ds0301ej rqk0201qgd.pdf pdf_icon

RQK0204TGDQA

Preliminary Datasheet RQK0201QGDQA R07DS0301EJ0400 (Previous REJ03G1321-0300) Silicon N Channel MOS FET Rev.4.00 Power Switching Mar 28, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 25 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 2.4 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D 3 G 1.

 8.3. Size:85K  renesas
 r07ds0302ej rqk0202rgd.pdf pdf_icon

RQK0204TGDQA

Preliminary Datasheet RQK0202RGDQA R07DS0302EJ0400 (Previous REJ03G1322-0300) Silicon N Channel MOS FET Rev.4.00 Power Switching Mar 28, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 42 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.9 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D 3 G 1.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RQJ0306FQDQS , RQJ0601DGDQS , RQJ0602EGDQA , RQJ0602EGDQS , RQJ0603LGDQA , RQK0201QGDQA , RQK0202RGDQA , RQK0203SGDQA , SKD502T , RQK0301FGDQS , RQK0302GGDQA , RQK0302GGDQS , RQK0303MGDQA , RQK0601AGDQS , RQK0603CGDQA , RQK0603CGDQS , RQK0604IGDQA .

 

 
Back to Top

 


 
.