Справочник MOSFET. RQK0204TGDQA

 

RQK0204TGDQA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: RQK0204TGDQA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.8 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.3 A

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm

Тип корпуса: MPAK

Аналог (замена) для RQK0204TGDQA

 

 

RQK0204TGDQA Datasheet (PDF)

1.1. r07ds0304ej rqk0204tgd.pdf Size:85K _renesas

RQK0204TGDQA
RQK0204TGDQA

Preliminary Datasheet RQK0204TGDQA R07DS0304EJ0400 (Previous: REJ03G1324-0300) Silicon N Channel MOS FET Rev.4.00 Power Switching Mar 28, 2011 Features ? Low on-resistance RDS(on) = 100 m? typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.2 A) ? Low drive current ? High speed switching ? 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A (Package name: MPAK) 3 D 3 G 1. Source 2 2.

4.1. r07ds0303ej rqk0203sgd.pdf Size:84K _renesas

RQK0204TGDQA
RQK0204TGDQA

Preliminary Datasheet RQK0203SGDQA R07DS0303EJ0400 (Previous: REJ03G1323-0300) Silicon N Channel MOS FET Rev.4.00 Power Switching Mar 28, 2011 Features ? Low on-resistance RDS(on) = 68 m? typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.5 A) ? Low drive current ? High speed switching ? 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A (Package name: MPAK) 3 D G 3 1. Source 2 2.

4.2. r07ds0301ej rqk0201qgd.pdf Size:85K _renesas

RQK0204TGDQA
RQK0204TGDQA

Preliminary Datasheet RQK0201QGDQA R07DS0301EJ0400 (Previous: REJ03G1321-0300) Silicon N Channel MOS FET Rev.4.00 Power Switching Mar 28, 2011 Features ? Low on-resistance RDS(on) = 25 m? typ (VGS = 4.5 V, ID = 2.4 A) ? Low drive current ? High speed switching ? 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A (Package name: MPAK) 3 D 3 G 1. Source 2 2.

 4.3. r07ds0302ej rqk0202rgd.pdf Size:85K _renesas

RQK0204TGDQA
RQK0204TGDQA

Preliminary Datasheet RQK0202RGDQA R07DS0302EJ0400 (Previous: REJ03G1322-0300) Silicon N Channel MOS FET Rev.4.00 Power Switching Mar 28, 2011 Features ? Low on-resistance RDS(on) = 42 m? typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.9 A) ? Low drive current ? High speed switching ? 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A (Package name: MPAK) 3 D 3 G 1. Source 2 2.

Другие MOSFET... RQJ0306FQDQS , RQJ0601DGDQS , RQJ0602EGDQA , RQJ0602EGDQS , RQJ0603LGDQA , RQK0201QGDQA , RQK0202RGDQA , RQK0203SGDQA , J111 , RQK0301FGDQS , RQK0302GGDQA , RQK0302GGDQS , RQK0303MGDQA , RQK0601AGDQS , RQK0603CGDQA , RQK0603CGDQS , RQK0604IGDQA .

 

 
Back to Top

 


RQK0204TGDQA
  RQK0204TGDQA
  RQK0204TGDQA
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: WFD5N65L | W15NK90Z | VN1206N5 | TK13A60W | SUP70060E | STP140N6F7 | STH140N6F7 | STD140N6F7 | SIHG47N60AEF | R6018JNX | PSMN3R7-100BSE | P75NF75 | NVD4C05NT4G | NTHL040N65S3F | MTD300N20J3 |
 

 

 

 

 
Back to Top