RQA0010UXAQS - описание и поиск аналогов

 

RQA0010UXAQS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RQA0010UXAQS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 16 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 5 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.43 Ohm

Тип корпуса: UPAK SC62

Аналог (замена) для RQA0010UXAQS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQA0010UXAQS даташит

 0.1. Size:200K  renesas
rej03g1693 rqa0010uxaqsds.pdfpdf_icon

RQA0010UXAQS

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 7.1. Size:201K  renesas
rej03g1692 rqa0010vxdqsds.pdfpdf_icon

RQA0010UXAQS

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 8.1. Size:219K  renesas
r07ds0095ej rqa0011dns.pdfpdf_icon

RQA0010UXAQS

Preliminary Datasheet RQA0011DNS R07DS0095EJ0500 Rev.5.00 Silicon N-Channel MOS FET Sep 08, 2011 Features High output power, High gain, High efficiency Pout = +39.6 dBm, Linear gain = 20 dB, PAE = 68% (f = 520 MHz) Small outline package (WSON0504-2 5.0 4.0 0.8 mm) Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC Standard, 61000-4-2, Level4) Outline RENESAS P

Другие MOSFET... RQA0005QXDQS , RQA0010VXDQS , RQA0008RXDQS , RQA0009TXDQS , RQA0004LXAQS , RQA0005AQS , RQA0008NXAQS , RQA0009SXAQS , IRFP064N , 2SJ661 , 2SJ665 , 2SK3707 , 2SK3821 , 2SK3823 , 2SK3824 , 2SK3826 , 2SK3827 .

History: AO4292E | 2SK3575-S | 30N06G-TF3-T | STD3PK50Z | AGM405AP1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.