ECH8420 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ECH8420  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 88 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm

Тип корпуса: ECH8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для ECH8420

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ECH8420 даташит

 ..1. Size:391K  1
 ech8420.pdf pdf_icon

ECH8420

ECH8420 Ordering number EN8993 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET ECH8420 General-Purpose Switching Device Applications Features ON-resistance RDS(on)1=5.2m (typ.) 1.8V drive Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 20 V Gate-to-Source

 9.1. Size:42K  sanyo
 ech8402.pdf pdf_icon

ECH8420

Ordering number ENN8148 ECH8402 N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8402 Applications Features Low ON-resistance. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 30 V Gate-to-Source Voltage VGSS 20 V Drain Current (DC) ID 10 A Drain Current (Pulse) IDP PW 10

 9.2. Size:345K  sanyo
 ech8419.pdf pdf_icon

ECH8420

ECH8419 Ordering number ENA1886 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8419 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=13m (typ.) 4V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 35 V Gate-to-Sourc

 9.3. Size:286K  sanyo
 ech8410.pdf pdf_icon

ECH8420

ECH8410 Ordering number ENA1331 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8410 Applications Features Low ON-resistance. 4V drive. Halogen free compliance. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 30 V Gate-to-Source Voltage VGSS 20

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BMS4003, BXL4001, CPH3350, CPH3356, CPH3360, CPH5617, CPH6354, CPH6355, P55NF06, ECH8656, ECH8671, ECH8672, ECH8674, ECH8675, EFC4612R, EFC4615R, EFC4618R-P