ECH8675. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: ECH8675
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm
Тип корпуса: ECH8
Аналог (замена) для ECH8675
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
ECH8675 даташит
ech8675.pdf
ECH8675 Ordering number ENA1437 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8675 Applications Features 1.8V drive. Composite type, facilitating high-density mounting. Halogen free compliance. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --2
ech8673.pdf
ECH8673 Ordering number ENA1892 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device ECH8673 Applications Features ON-resistance Nch RDS(on)1=65m (typ.), Pch ON-resistance RDS(on)1=125m (typ.) 4V drive Halogen free compliance Nch+Pch MOSFET Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Paramet
ech8674.pdf
ECH8674 Ordering number ENA1436 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8674 Applications Features 1.8V drive. Composite type, facilitating high-density mounting. Halogen free compliance. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --1
ech8671.pdf
ECH8671 Ordering number ENA1456 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8671 Applications Features 1.8V drive. Composite type, facilitating high-density mounting. Halogen free compliance. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --1
Другие MOSFET... CPH5617 , CPH6354 , CPH6355 , ECH8420 , ECH8656 , ECH8671 , ECH8672 , ECH8674 , IRF1010E , EFC4612R , EFC4615R , EFC4618R-P , EMH2411R , FSS294 , FTS2057 , FW216A , MCH3375 .
History: NTTFS4C06N | DMTH10H010SCT | AGM403DG | IRLU120 | PPMT2301 | IPA037N08N3 | ME2345A
History: NTTFS4C06N | DMTH10H010SCT | AGM403DG | IRLU120 | PPMT2301 | IPA037N08N3 | ME2345A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sd667 | 2sc1111 | bc239 transistor equivalent | 3sk41 | 2sc2240 transistor | c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement





