2SK2701A datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 2SK2701A 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.84 Ohm
Тип корпуса: TO220F
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для 2SK2701A
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2SK2701A даташит
2sk2701a.pdf
2-2 MOS FETs Specifications List by Part Number Absolute Maximum Ratings IGSS IDSS VTH VDSS VGSS ID ID (pulse) PD Part EAS Conditions Conditions Conditions Number (nA) VGS ( A) VDS (V) VDS ID (mJ) (V) (V) (A) (A) (W) max (V) min max (V) min max (V) ( A) 2SK2420 60 20 30 120 40 38 100 20 100 60 2.0 4.0 10 250 2SK2701A 450 30 7 28 35 130 100 30 100 450 2.0
2sk2701a.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2701A FEATURES Drain Current I = 7A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 450V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 1.1 (Max) 100% avalanche tested DS(on) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose
2sk2701 2sk2702 2sk2704 2sk2707 2sk2709.pdf
2-2 MOS FETs Specifications List by Part Number Absolute Maximum Ratings IGSS IDSS VTH VDSS VGSS ID ID (pulse) PD Part EAS Conditions Conditions Conditions Number (nA) VGS ( A) VDS (V) VDS ID (mJ) (V) (V) (A) (A) (W) max (V) min max (V) min max (V) ( A) 2SK1179 500 20 8.5 34 85 400 500 20 250 500 2.0 4.0 10 250 2SK1183 200 20 3 12 25 30 500 20 250 200 2.0
2sk2703.pdf
2SK2703 External dimensions 2 ...... FM100 Absolute Maximum Ratings Electrical Characteristics (Ta = 25 C) (Ta = 25 C) Ratings Symbol Ratings Unit Symbol Unit Conditions min typ max V 450 V I = 100 A, V = 0V (BR) DSS D GS V 450 V DSS I 100 nA V = 30V GSS GS V 30 V GSS I 100 A V = 450V, V = 0V DSS DS GS I 10 A D V 2.0 3.0 4.0 V V = 10V, I = 1mA TH DS D I 40
Другие IGBT... VEC2415, 2SK715, CPH3910, CPH6904, MCH3914, MCH5908, TF408, TF410, AO3407, 2SK2943, 2SK3003, 2SK3004, 2SK3199, 2SK3710, 2SK3711, 2SK3800, 2SK3801
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: RQK0303MGDQA | BLF879P | AON6246 | STS400 | RQJ0306FQDQS | FDMC7572S | IRL640
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
2sc9014 | a970 transistor | 2sb560 | tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet | mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416







